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闪存（U盘）20nm制程研发成功,U盘将引发革命性的发展机遇。
5月3日消息 近日Intel和美光爆出猛料：20nm制程研发成功，这将对于整个闪存（U盘）乃至半导体产业产生巨大的刺激。
两大巨头推出的全新20纳米制程8GB NAND设备尺寸仅为118平方毫米，它是NAND制程和技术设计上的一次重大突破.由于该技术与现有技术相比能够帮助晶圆工厂增加约50%的产品容量，因此将NAND光刻技术升级为这一全新技术是提高晶圆工厂产量的一种最为经济高效的方法，而且全新20纳米NAND制程技术还保持了与前一代25纳米NAND制程技术相当的性能和耐用性。
20纳米制程8GB设备目前尚处于样品阶段，它有望于2011年下半年进入量产阶段。英特尔和美光还希望届时推出一款16GB设备的样品，它可在一个比美国邮票还小的单个固态存储解决方案中提供高达128GB的存储容量。如果海量U盘的出现，对移动硬盘市场的冲击将是不可想像的，U盘将迎来一个全新的时代机遇。本U盘厂家生产的U盘品质卓越，5年保修。
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