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台积电：在2D技术达到极限之前不会采用3D晶体管技术
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 简称：台积电)表示，在2D芯片容量达到极限之前，公司不会启用3D晶体管技术生产半导体，而且3D技术的基础条件尚不成熟。
英特尔(Intel Co., INTC)上周三称，公司将一改在矽晶圆上创建2D集成电路的标准做法，转而采用3D晶体管生产技术。英特尔表示，利用3D晶体管比简单采用新一代生产技术
益处更多。
分析师们表示，上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡，之前，英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。
台积电目前采用28纳米技术生产芯片，该公司计划在2013年转用更先进的20纳米技术。
台积电研发部资深副总裁蒋尚义表示，自2003年以来公司一直在研发3D晶体管，但目前3D晶体管技术的工具和设计都还不成熟。
蒋尚义还称，当公司采用比20纳米制程更先进的芯片生产技术，而2D晶体管的容量已达到极限，才会考虑采用3D晶体管。
按收入计，台积电是全球最大的芯片代工企业。
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